- Přehledy IS
- APS (20)
- BPM - procesní řízení (23)
- Cloud computing (IaaS) (10)
- Cloud computing (SaaS) (32)
- CRM (51)
- DMS/ECM - správa dokumentů (20)
- EAM (17)
- Ekonomické systémy (68)
- ERP (77)
- HRM (28)
- ITSM (6)
- MES (32)
- Řízení výroby (36)
- WMS (29)
- Dodavatelé IT služeb a řešení
- Datová centra (25)
- Dodavatelé CAD/CAM/PLM/BIM... (38)
- Dodavatelé CRM (33)
- Dodavatelé DW-BI (50)
- Dodavatelé ERP (70)
- Informační bezpečnost (50)
- IT řešení pro logistiku (45)
- IT řešení pro stavebnictví (26)
- Řešení pro veřejný a státní sektor (27)
Tematické sekce
ERP systémy
CRM systémy
Plánování a řízení výroby
AI a Business Intelligence
DMS/ECM - Správa dokumentů
HRM/HCM - Řízení lidských zdrojů
EAM/CMMS - Správa majetku a údržby
Účetní a ekonomické systémy
ITSM (ITIL) - Řízení IT
Cloud a virtualizace IT
IT Security
Logistika, řízení skladů, WMS
IT právo
GIS - geografické informační systémy
Projektové řízení
Trendy ICT
E-commerce B2B/B2C
CAD/CAM/CAE/PLM/3D tiskBranžové sekce
![]() | Přihlaste se k odběru zpravodaje SystemNEWS na LinkedIn, který každý týden přináší výběr článků z oblasti podnikové informatiky | |
| ||
Partneři webu
Samsung hromadně vyrábí 4Gigabitové NAND Flash paměti
Společnost Samsung Electronics ohlásila 30. května, že začala hromadně vyrábět flash paměti typu NAND s vysokou kapacitou za použití výhod 70nanometrové výrobní technologie. Rychlejší technologie nabízí zákazníkům a mobilním aplikacím větší úložné kapacity za přijatelnější ceny. První 4Gb NAND flash paměť byla Samsungem vyrobena v září 2003, sledujíc tak „Růstový model nových pamětí“, podle kterého se zdvojnásobuje kapacita pamětí každých 12 měsíců. Pět generací NAND flash pamětí bylo představeno v tomto pořadí: 256 Mb v roce 1999, 512 Mb - 2000, 1 Gb - 2001, 2 Gb - 2002, 4 Gb - 2003 a 8 Gb v roce 2004.

Použití 70nm konstrukční technologie pro výrobu 4Gb NAND flash pamětí umožňuje Samsungu vyrábět nejmenší průmyslovou paměťovou buňku o velikosti 0,025 mikrometrů čtverečních. Je vyráběna fotolitograficky, za použití pokrokového typu argon fluoridního světelného zdroje.
Nové 4Gb flash paměti zapisují data rychlostí 16 MB/s, což představuje 50% navýšení oproti 2Gb pamětím s 90nm technologií. Umožňují tak například ukládání dat v reálném čase u videozáznamů s vysokým rozlišením (HD – high-definition).
Časopis IT Systems / Odborná příloha
Kalendář akcí
Formulář pro přidání akce
RSS kanál
| Po | Út | St | Čt | Pá | So | Ne |
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 |
| 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 |
| 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 |
| 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 |
| 29 | 30 | 31 | 1 | 2 | 3 | 4 |
| 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 |
IT Systems podporuje
Formulář pro přidání akce









