Aktuality -> Hardware - 30. 5. 2005

Samsung hromadně vyrábí 4Gigabitové NAND Flash paměti

Samsung269.jpgSpolečnost Samsung Electronics ohlásila 30. května, že začala hromadně vyrábět flash paměti typu NAND s vysokou kapacitou za použití výhod 70nanometrové výrobní technologie. Rychlejší technologie nabízí zákazníkům a mobilním aplikacím větší úložné kapacity za přijatelnější ceny. První 4Gb NAND flash paměť byla Samsungem vyrobena v září 2003, sledujíc tak „Růstový model nových pamětí“, podle kterého se zdvojnásobuje kapacita pamětí každých 12 měsíců. Pět generací NAND flash pamětí bylo představeno v tomto pořadí: 256 Mb v roce 1999, 512 Mb - 2000, 1 Gb - 2001, 2 Gb - 2002, 4 Gb - 2003 a 8 Gb v roce 2004.

Použití 70nm konstrukční technologie pro výrobu 4Gb NAND flash pamětí umožňuje Samsungu vyrábět nejmenší průmyslovou paměťovou buňku o velikosti 0,025 mikrometrů čtverečních. Je vyráběna fotolitograficky, za použití pokrokového typu argon fluoridního světelného zdroje.
Nové 4Gb flash paměti zapisují data rychlostí 16 MB/s, což představuje 50% navýšení oproti 2Gb pamětím s 90nm technologií. Umožňují tak například ukládání dat v reálném čase u videozáznamů s vysokým rozlišením (HD – high-definition).

 
  

- PR -

AI? Dobře si to rozmyslete!

Než zařadíte AI do firemních procesů, dobře si to rozmyslete! Současný tlak na její využití totiž často vede ke snaze nasadit ji bez ohledu na skutečný přínos. Na konci tohoto článku dojdeme k otázkám, které je dobré si položit.

  

- PR -

Od návrhu k výrobě

Jak propojit CAD data, odborné kapacity a firemní procesy


Digitální nástroje dnes provázejí výrobek od prvního návrhu přes konstrukci a ověření až po výrobu, kontrolu a servis. Samotný nákup softwaru však plynulý tok technických informací nezajistí. Rozhodující je, zda spolu jednotlivé nástroje komunikují, zda lidé pracují se správnými daty a zda má firma k dispozici potřebné znalosti i kapacity. TD-IS proto propojuje dodávku technologií s konstrukčními službami, výpočty, školením a správou životního cyklu výrobku.