Společnost Samsung Electronics ohlásila 30. května, že začala hromadně vyrábět flash paměti typu NAND s vysokou kapacitou za použití výhod 70nanometrové výrobní technologie. Rychlejší technologie nabízí zákazníkům a mobilním aplikacím větší úložné kapacity za přijatelnější ceny. První 4Gb NAND flash paměť byla Samsungem vyrobena v září 2003, sledujíc tak „Růstový model nových pamětí“, podle kterého se zdvojnásobuje kapacita pamětí každých 12 měsíců. Pět generací NAND flash pamětí bylo představeno v tomto pořadí: 256 Mb v roce 1999, 512 Mb - 2000, 1 Gb - 2001, 2 Gb - 2002, 4 Gb - 2003 a 8 Gb v roce 2004.

Použití 70nm konstrukční technologie pro výrobu 4Gb NAND flash pamětí umožňuje Samsungu vyrábět nejmenší průmyslovou paměťovou buňku o velikosti 0,025 mikrometrů čtverečních. Je vyráběna fotolitograficky, za použití pokrokového typu argon fluoridního světelného zdroje.
Nové 4Gb flash paměti zapisují data rychlostí 16 MB/s, což představuje 50% navýšení oproti 2Gb pamětím s 90nm technologií. Umožňují tak například ukládání dat v reálném čase u videozáznamů s vysokým rozlišením (HD – high-definition).