- Přehledy IS
- APS (20)
- BPM - procesní řízení (23)
- Cloud computing (IaaS) (10)
- Cloud computing (SaaS) (33)
- CRM (51)
- DMS/ECM - správa dokumentů (20)
- EAM (17)
- Ekonomické systémy (68)
- ERP (78)
- HRM (28)
- ITSM (6)
- MES (32)
- Řízení výroby (36)
- WMS (29)
- Dodavatelé IT služeb a řešení
- Datová centra (25)
- Dodavatelé CAD/CAM/PLM/BIM... (39)
- Dodavatelé CRM (33)
- Dodavatelé DW-BI (50)
- Dodavatelé ERP (71)
- Informační bezpečnost (50)
- IT řešení pro logistiku (45)
- IT řešení pro stavebnictví (26)
- Řešení pro veřejný a státní sektor (27)
Tematické sekce
ERP systémy
CRM systémy
Plánování a řízení výroby
AI a Business Intelligence
DMS/ECM - Správa dokumentů
HRM/HCM - Řízení lidských zdrojů
EAM/CMMS - Správa majetku a údržby
Účetní a ekonomické systémy
ITSM (ITIL) - Řízení IT
Cloud a virtualizace IT
IT Security
Logistika, řízení skladů, WMS
IT právo
GIS - geografické informační systémy
Projektové řízení
Trendy ICT
E-commerce B2B/B2C
CAD/CAM/CAE/PLM/3D tiskBranžové sekce
| Přihlaste se k odběru newsletteru SystemNEWS, který každý týden přináší výběr článků z oblasti podnikové informatiky | |
![]() | |
Partneři webu
Nejrychlejší technologie eDRAM na čipu
Ve studiích prezentovaných na konferenci International Solid State Circuits Conference (ISSCC) představila společnost IBM zcela novou technologii paměti na čipu s nejkratší přístupovou dobou, jaké kdy bylo dosaženo u paměti eDRAM (embedded dynamic random access memory). Nová technologie vychází z technologie křemíku na izolantu (SOI), takže dosahuje vysokého výkonu při nízkém odběru energie. Ohromně zvyšuje výkon mikroprocesorů ve vícejádrových systémech a urychluje grafiku v hrách, síťových a multimediálních aplikacích, jež intenzivně pracují s obrazem. Tato technologie má být hlavní součástí 45nm mikroprocesorů IBM a bude k dispozici od roku 2008.

Nová technologie eDRAM, která používá zátěžově odolný 65nm SOI (Sillicon-on-Insulator) s hlubokou drážkou, podstatně zvyšuje výkon paměti na čipu zhruba na třetině místa a s jednou pětinou energetického odběru v pohotovostním režimu oproti konvenční paměti SRAM.
Specifikace technologie eDRAM
Některé specifikace vysoce výkonné technologie eDRAM společnosti IBM:
Velikost buňky: 0,126 mm2
Napájení: 1 V
Dostupnost: 98,7%
Mřížka (tile): 1K RowX16 Col X146 (2Mb)
Odběr proudu: 76 mW
Udržovací odběr v úsporném režimu: 42 mW
Doba náhodného cyklu: 2ns
Latence: 1,5ns
Časopis IT Systems / Odborná příloha
Kalendář akcí
Formulář pro přidání akce
RSS kanál
IT Systems podporuje
Formulář pro přidání akce
Další vybrané akce
| 26.2. | Kyberbezpečnost v IT bez strašení: kde začít? |






