Ve studiích prezentovaných na konferenci International Solid State Circuits Conference (ISSCC) představila společnost IBM zcela novou technologii paměti na čipu s nejkratší přístupovou dobou, jaké kdy bylo dosaženo u paměti eDRAM (embedded dynamic random access memory). Nová technologie vychází z technologie křemíku na izolantu (SOI), takže dosahuje vysokého výkonu při nízkém odběru energie. Ohromně zvyšuje výkon mikroprocesorů ve vícejádrových systémech a urychluje grafiku v hrách, síťových a multimediálních aplikacích, jež intenzivně pracují s obrazem. Tato technologie má být hlavní součástí 45nm mikroprocesorů IBM a bude k dispozici od roku 2008.

Nová technologie eDRAM, která používá zátěžově odolný 65nm SOI (Sillicon-on-Insulator) s hlubokou drážkou, podstatně zvyšuje výkon paměti na čipu zhruba na třetině místa a s jednou pětinou energetického odběru v pohotovostním režimu oproti konvenční paměti SRAM.

Specifikace technologie eDRAM
Některé specifikace vysoce výkonné technologie eDRAM společnosti IBM:
Velikost buňky: 0,126 mm²
Napájení: 1 V
Dostupnost: 98,7%
Mřížka (tile): 1K RowX16 Col X146 (2Mb)
Odběr proudu: 76 mW
Udržovací odběr v úsporném režimu: 42 mW
Doba náhodného cyklu: 2ns
Latence: 1,5ns