Společnosti IBM a Micron Technology oznámily zahájení výroby nového paměťového zařízení využívající 3D technologii TSV (Through-silicon vias). Nové paměti Hybrid Memory Cube (HMC) od firmy Micron jsou vyráběny procesem TSV, který vyvinula společnost IBM, a dosáhují patnáctkrát vyššího výkonu než poskytuje současná technologie. Paměť HMC využívá technologie TSV k propojení vrstev 3D struktury. TSV jsou vertikální vodivé kanály elektricky spojující jednotlivé vrstvy tvořené samostatnými čipy. Díky technologii je možné kombinovat vysoce výkonné paměti DRAM vyvinuté společností Micron. HMC nabízí významné vylepšení. Prototypy HMC například vykazují propustnost až 128 gigabytů za sekundu (GB/s), zatímco nejlepší dnešní zařízení jsou o řád pomalejší. HMC rovněž spotřebuje o 70 % méně energie a je i výrazně menší.