Prakticky stejně vyznívající oznámení o nejzásadnější změně tranzistoru za posledních 40 let díky nalezení nového materiálu, jaké učinil zhruba před týdnem Intel, přichází nyní od IBM. Dle tiskové zprávy se IBM podařilo vyvinout dlouho hledané vylepšení tranzistoru (drobného přepínače). Ve spolupráci s AMD a dalšími vývojovými partnery Sony a Toshiba našla společnost způsob, jak vyrobit rozhodující součást tranzistoru z nového materiálu.

Otevřela tak cestu k čipovým obvodům, které jsou menší, rychlejší a energeticky účinnější, než bylo dosud považováno za možné. Novou technologii lze začlenit do stávající výroby čipů s minimálními změnami nástrojového vybavení a procesů, takže je ekonomicky přijatelná.
IBM začlenilo tuto technologii do své nejmodernější linky na výrobu polovodičů v East Fishkill ve státě New York a od roku 2008 ji bude používat u svých produktů. Technologie nazvaná High-K Metal Gate (kovová brána s vysokou dielektrickou konstantou) používá nový materiál v kritické části tranzistoru, která řídí jeho hlavní funkci zapínání a vypínání. Tento materiál ve srovnání s předchůdcem poskytuje výrazně lepší elektrické vlastnosti, zkvalitňuje funkci tranzistoru a zároveň umožňuje při zmenšování tranzistoru překonat současné limity.
Stejně jako přibližně před týdnem Intel, také IBM tedy nyní hovoří o možnosti dále pokračovat ve vývoji čipů v souladu s Mooreovým zákonem.