Intel oznamuje, že jako zcela první výrobce dosáhl významného mezníku ve vývoji 45nanometrových polovodičových obvodů. Společnost Intel vyrobila úplně první plně funkční paměťový čip SRAM (Static Random Access Memory) se 45nm strukturou. Nová generace výrobního procesu bude sloužit k velkoobjemové výrobě polovodičů.

Dosažení tohoto milníku znamená, že společnost Intel postupuje podle plánu na zavedení výroby 45nanometrovou technologií na 300mm křemíkových plátcích v průběhu roku 2007. Nová 45nm výrobní technologie společnosti Intel umožní výrobu čipů s více než pětkrát nižším ztrátovým výkonem než současné. To zajistí delší provoz přenosných zařízení na baterie a rozšíří možnosti výroby menších a výkonnějších platforem. Nový 45nm SRAM paměťový čip obsahuje více než 1 miliardu transistorů. Ačkoliv se nejedná o produkt, který by společnost Intel prodávala, je tento čip vhodný k ověření výkonu nové technologie, výnosu výroby a spolehlivosti produktů, ještě před zahájením 45nm výroby ostatních logických obvodů.