Nové paměti nabízejí kapacitu až 256 GB a umožní uživatelům chytrých telefonů plně využít možnosti současných aplikací náročných na paměť a maximalizovat užitek z mobilních technologií. Nová paměťová média iNAND 8521 a iNAND 7550 využívají technologii 3D NAND se 64 vrstvami a rozhraní UFS a e.MMC.

„Odhadujeme, že se do konce roku 2018 průměrná úložná kapacita telefonu vyšplhá na 60 GB, aby zajistila potřeby rostoucího podílu multimediálního obsahu a zábavy postavené na velkých datových souborech od umělé inteligence až po virtuální zvětšenou realitu,“ říká Neil Shah, ředitel výzkumu společnosti Counterpoint Research.

„Datacentrická podstata chytrých telefonů bude zesílena a posunuta na novou úroveň mimo jiné díky aplikacím, jako je video 360, fotoaparátům s více objektivy nebo vstupu umělé inteligence do mobilních telefonů,“ dodává Christopher Bergey ze společnosti Western Digital.

Paměť iNAND 8521 je navržena pro potřeby uživatelů s maximálním nárokem na využití dat, když používá rozhraní UFS 2.1 a technologii SLC. Nabízí tak dvojnásobné rychlosti sekvenčního zápisu a až desetkrát vyšší rychlost náhodného zápisu ve srovnání s předchozí generací pamětí iNAND 7232 EFD. Reaguje tak na kapacitní a výkonnostní požadavky uživatelských aplikací, umožňuje např. rychlé nahrávání HD videa. Vysoká rychlost přenosu dat u paměti iNAND 8521 také umožní plně využívat výhod nejnovějších rychlostí WiFi sítě při přechodu na 5G.

Paměť iNAND 7550 EFD je určena pro rychlé a vysokokapacitní chytré telefony střední třídy. Umožňuje vyrábět cenově dostupné chytré telefony s vysokou kapacitou paměti. Tato paměť využívá rozhraní e.MMC 5.1. Rychlost sekvenčního zápisu u ní dosahuje 260 MB/s. Náhodný zápis/čtení pak dosahuje hodnot 20 K IOPS respektive 15 K IOPS.